根據理論分析得知，TEV有可能是由于局部放電引起的電磁波從開(kāi)關(guān)柜不連續處泄露而形成。為了驗證其理論的正確性，首先對無(wú)縫情況時(shí)的TEV傳播過(guò)程進(jìn)行了仿真，其結果如圖所示。

上圖中所示為無(wú)縫情況下TE號在開(kāi)關(guān)柜內的傳播過(guò)程，TE號以放電源為中心向四周輻射，明顯穿透了開(kāi)關(guān)柜金屬外殼，不過(guò)理論上金屬對電磁信號有很強的屏蔽作用，為了得知電磁信號是否被屏蔽，通過(guò)檢測探針在開(kāi)關(guān)柜模型金屬殼外表面測量到的信號強度如下圖所示。

無(wú)縫時(shí)的TE號仿真結果zui大值為6e-9Vfmm，接近于0，由此可見(jiàn)，開(kāi)關(guān)柜殼體對TE號產(chǎn)生的金屬屏蔽作用明顯，TE號以穿透金屬為傳播路徑的可能性很小。